AIXTRON та Fraunhofer IISB є піонерами у виробництві кремнієвих карбідних (SiC) пластин діаметром 150 мм, прагнучи до...
Електроніка
Fraunhofer IISB та AIXTRON прискорюють інновації в технології епітаксії карбіду кремнію (SiC) для електроніки наступного покоління. Система...
Карбід кремнію (SiC) забезпечує електроніку потужності наступного покоління, пропонуючи покращену енергоефективність для дата-центрів, сонячних електростанцій, медичного обладнання...
Виробництво епітаксійних шарів з нітриду галію (GaN) у 2025 році: Відкриття нових рішень у сфері енергетики та...
Виробництво друкованих плат високої щільності (HDI) у 2025 році: Формування майбутнього мініатюризованої, високо продуктивної електроніки. Досліджуйте зростання...
Гнучке виробництво електроніки у 2025 році: розкриття потенціалу нових пристроїв та розширення ринку. Досліджте, як передові матеріали...
Олімпійські кіберспортивні ігри будуть запущені в рамках співпраці між Міжнародним олімпійським комітетом (МОК) та Саудівським олімпійським та...
