Marktbericht über Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid 2025: Detaillierte Analyse der Wachstumstreiber, Technologischen Innovationen und Globalen Chancen. Erforschen Sie Marktgröße, Wettbewerbsdynamik und Prognosen bis 2030.
- Zusammenfassung und Marktübersicht
- Wichtige Technologietrends in der Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid
- Marktgröße und Wachstumsprognosen (2025–2030)
- Wettbewerbslandschaft und führende Unternehmen
- Regionale Analyse: Hauptmärkte und aufstrebende Regionen
- Herausforderungen, Risiken und Marktbarrieren
- Chancen und strategische Empfehlungen
- Zukünftige Ausblicke: Innovationen und Marktentwicklung
- Quellen & Referenzen
Zusammenfassung und Marktübersicht
Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) stellt ein transformatives Segment innerhalb des globalen Leistungshalbleitermarkts dar und bietet erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen auf Silizium basierenden Geräten. Die überlegenen Materialeigenschaften von SiC – wie höhere Durchbruchspannung, größere Wärmeleitfähigkeit und schnellere Schaltgeschwindigkeiten – ermöglichen die Entwicklung effizienterer, kompakterer und robusterer Leistungselektroniksysteme. Diese Eigenschaften treiben eine schnelle Akzeptanz in wachstumsstarken Sektoren voran, einschließlich Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energien, industriellen Motorantrieben und der Energieinfrastruktur.
Im Jahr 2025 erlebt der SiC-Leistungselektronikmarkt eine beschleunigte Expansion, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen und die Elektrifizierung des Verkehrs. Laut Yole Group wird prognostiziert, dass der globale SiC-Gerätemarkt 2025 die 6 Milliarden Dollar-Marke überschreiten wird, gegenüber etwa 2,5 Milliarden Dollar im Jahr 2022, was einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von über 30 % entspricht. Dieses Wachstum wird durch die zunehmende Integration von SiC-MOSFETs und Dioden in EV-Antrieben und Ladeinfrastruktur unterstützt, wo ihre Effizienz und thermische Leistung spürbare Vorteile in Bezug auf Reichweite, Ladegeschwindigkeit und Systemminiaturisierung bieten.
Automotive-Anwendungen bleiben der Hauptwachstumsmotor, wobei führende Hersteller wie Tesla und BYD SiC-basierte Wechselrichter und Onboard-Ladegeräte einbauen, um die Fahrzeugleistung zu verbessern. Der Sektor der erneuerbaren Energien, insbesondere Solarwechselrichter und Windkraftkonverter, nimmt ebenfalls SiC-Geräte an, um die Umwandlungseffizienz zu verbessern und Systemkosten zu senken. Industrie- und Rechenzentrumsstromversorgungen stellen zusätzliche Märkte mit hohem Potenzial dar, da SiC höhere Leistungsdichten und geringere Kühlanforderungen ermöglicht.
Die Wettbewerbslandschaft ist geprägt von bedeutenden Investitionen in Kapazitätserweiterungen und vertikaler Integration. Schlüsselakteure – darunter Wolfspeed, onsemi, STMicroelectronics und Infineon Technologies – erhöhen die Produktion von SiC-Wafern und -Geräten, um Angebotsengpässe zu beseitigen und der steigenden Nachfrage gerecht zu werden. Strategische Partnerschaften und langfristige Lieferverträge zwischen Geräteherstellern und Automobil-OEMs werden immer häufiger, was den Wachstumspfad des Marktes weiter festigt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der SiC-Leistungselektronikmarkt im Jahr 2025 durch eine starke Nachfrage, rasante technologische Fortschritte und zunehmenden Wettbewerb geprägt ist. Die Aussichten des Sektors bleiben sehr positiv, wobei SiC eine zentrale Rolle im globalen Übergang zur Elektrifizierung und nachhaltigen Energiesystemen spielen wird.
Wichtige Technologietrends in der Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid
Die Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) steht an der Spitze einer technologischen Transformation in der Energieumwandlung, die durch die überlegenen Eigenschaften des Materials im Vergleich zu traditionellem Silizium vorangetrieben wird. Im Jahr 2025 prägen mehrere Schlüsseltechnologietrends die Landschaft der SiC-Leistungselektronik und beschleunigen die Akzeptanz in den Bereichen Automobil, Industrie und erneuerbare Energien.
- Fortschritte in der SiC-Substratherstellung: Die Branche verzeichnet erhebliche Verbesserungen in der Qualität und Skalierbarkeit von SiC-Substraten. Führende Hersteller setzen größere Wafergrößen (bis zu 8 Zoll) ein, die die Erträge von Geräten erhöhen und die Kosten pro Chip senken. Dieser Wandel ist entscheidend für Massenauswendungen, wie von Wolfspeed und onsemi hervorgehoben, die beide erweiterte 8-Zoll-SiC-Waferproduktionslinien angekündigt haben.
- Innovationen in der Gerätearchitektur: Der Übergang von planar zu Trench-MOSFET-Strukturen ermöglicht einen niedrigeren On-Widerstand und eine höhere Stromhandhabung. Trench-MOSFETs, die nun in die kommerzielle Produktion eintreten, bieten verbesserte Effizienz und thermische Leistung, wie von STMicroelectronics und Infineon Technologies berichtet.
- Integration von SiC-Modulen: Es gibt einen klaren Trend zu hochintegrierten SiC-Leistungsmodulen, die mehrere Geräte und Treiber in kompakten Paketen kombinieren. Diese Integration reduziert parasitäre Induktivitäten und vereinfacht das Systemdesign, insbesondere für Wechselrichter von Elektrofahrzeugen (EV) und Schnellladeinfrastrukturen, wie von Renesas Electronics beobachtet.
- Zuverlässigkeit und Qualifikationsstandards: Da SiC-Geräte in mission-critical Anwendungen zum Einsatz kommen, investieren Hersteller in fortgeschrittene Zuverlässigkeitstests und Qualifikationsprozesse. Die Übernahme von automobilen Standards (AEC-Q101) wird weit verbreitet, um die langfristige Haltbarkeit unter harschen Umgebungsbedingungen zu gewährleisten, laut TTI, Inc..
- Kostenreduktion und Expansion der Lieferkette: Das SiC-Ökosystem wächst schnell, wobei neue Marktteilnehmer und etablierte Unternehmen in vertikale Integration und Resilienz der Lieferkette investieren. Dies senkt die Kosten und verbessert die Materialverfügbarkeit, wie im Yole Group’s Bericht über die SiC-Leistungshalbleiterindustrie 2023 ausgeführt.
Diese Technologietrends ermöglichen es der SiC-Leistungselektronik insgesamt, eine höhere Effizienz, eine größere Leistungsdichte und eine verbesserte Zuverlässigkeit zu bieten, wodurch die Technologie für schnelles Wachstum im Jahr 2025 und darüber hinaus positioniert ist.
Marktgröße und Wachstumsprognosen (2025–2030)
Der globale Markt für Siliziumkarbid (SiC) Leistungselektronik steht im Jahr 2025 vor einer robusten Expansion, die durch eine beschleunigte Akzeptanz in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Stromversorgungen angetrieben wird. Laut Yole Group wird der SiC-Leistungsgeräte-Markt voraussichtlich etwa 3,3 Milliarden Dollar im Jahr 2025 erreichen, gegenüber geschätzten 2,2 Milliarden Dollar im Jahr 2023, was einer jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von über 20 % entspricht. Dieses Wachstum wird durch die überlegene Effizienz, höhere Spannungsfestigkeit und thermische Leistung von SiC-Geräten im Vergleich zu traditionellen Silizium-basierten Alternativen unterstützt.
Automotive-Anwendungen, insbesondere in EV-Wechselrichtern und Onboard-Ladegeräten, werden voraussichtlich mehr als 60 % der Nachfrage nach SiC-Leistungselektronik im Jahr 2025 ausmachen. Große Automobilhersteller und Tier-1-Zulieferer erhöhen den SiC-Einsatz, um die Reichweite der Fahrzeuge zu verlängern und die Ladezeiten zu verkürzen, wobei Unternehmen wie STMicroelectronics und Infineon Technologies bedeutende Kapazitätserweiterungen und langfristige Lieferverträge angekündigt haben. Der Sektor der erneuerbaren Energien, insbesondere Solarwechselrichter und Windkraftkonverter, ist ebenfalls ein wichtiger Wachstumstreiber, da SiC-Geräte höhere Systemeffizienzen und kompakte Designs ermöglichen.
Regional wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum im Jahr 2025 den Markt für SiC-Leistungselektronik dominieren wird, angeführt von China, Japan und Südkorea. Diese Dominanz ist auf aggressive Ziele für die Annahme von EVs, erhebliche Investitionen in die Infrastruktur für erneuerbare Energien und die Präsenz führender SiC-Hersteller wie Wolfspeed und ROHM Semiconductor zurückzuführen. Nordamerika und Europa erleben ebenfalls ein rapides Wachstum, das durch staatliche Anreize und die Lokalisierung von SiC-Lieferketten angeheizt wird.
Für 2030 deutet die Marktprognose von MarketsandMarkets darauf hin, dass der Markt für SiC-Leistungselektronik mehr als 7 Milliarden Dollar übersteigen könnte, mit einer CAGR von über 22 % von 2025 bis 2030. Dieser Trend wird durch kontinuierliche technologische Fortschritte, Kostensenkungen durch Skaleneffekte und sich erweiternde Endanwendungen über Automobile und erneuerbare Energien hinaus, einschließlich Rechenzentren und industrieller Automatisierung, unterstützt.
Wettbewerbslandschaft und führende Unternehmen
Die Wettbewerbslandschaft des Marktes für Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) im Jahr 2025 ist durch eine schnelle Innovation, strategische Partnerschaften und erhebliche Investitionen sowohl von etablierten Halbleiter-Giganten als auch von spezialisierten siC-fokussierten Unternehmen gekennzeichnet. Der Markt verzeichnet einen zunehmenden Wettbewerb, da die Nachfrage aus den Sektoren Automobil, Industrie und erneuerbare Energien steigt, begünstigt durch die überlegene Effizienz und thermische Leistung von SiC-Geräten im Vergleich zu herkömmlichen, auf Silizium basierenden Lösungen.
Führende Akteure im Bereich der SiC-Leistungselektronik umfassen Wolfspeed, STMicroelectronics, Infineon Technologies AG, onsemi und ROHM Semiconductor. Diese Unternehmen investieren erheblich in die Erweiterung ihrer SiC-Waferproduktion und die Verbesserung der Geräteleistung, um langfristige Lieferverträge mit großen Automobil-OEMs und Industriekunden zu sichern.
- Wolfspeed bleibt ein Marktführer und nutzt seine vertikal integrierte Lieferkette und die weltweit größte SiC-Materialanlage in North Carolina. Die langfristigen Lieferverträge des Unternehmens mit Mercedes-Benz und Lucid Motors unterstreichen seine zentrale Rolle im EV-Sektor.
- STMicroelectronics hat sein SiC-Geräteportfolio erweitert und mehrjährige Lieferverträge mit ZF Friedrichshafen AG und BYD gesichert, was seine Position in den Bereichen Automobil und Industrie verstärkt.
- Infineon Technologies AG erhöht seine SiC-Produktion in Österreich und Malaysia und konzentriert sich auf diskrete Lösungen und Module für Wechselrichter und Schnellladeinfrastrukturen.
- onsemi hat strategische Übernahmen wie GT Advanced Technologies getätigt, um die Versorgung mit SiC-Substraten zu sichern und seinen Fahrplan für die Automobil- und Energiebereiche zu beschleunigen.
- ROHM Semiconductor investiert weiterhin in die Herstellung von SiC-Wafern und -Geräten mit dem Fokus auf hocheffiziente Leistungsmodulen für EVs und industrielle Antriebe.
Der Markt umfasst auch aufstrebende Akteure und regionale Wettbewerber, insbesondere in China, wo Unternehmen wie Sanan IC und TankeBlue die heimische SiC-Produktion steigern, um die Abhängigkeit von Importen zu verringern. Strategische Kooperationen, wie Joint Ventures zwischen Geräteherstellern und Automobil-OEMs, werden voraussichtlich intensiver, während die Branche darum kämpft, die SiC-Versorgung und die technologische Führerschaft bis 2025 und darüber hinaus zu sichern.
Regionale Analyse: Hauptmärkte und aufstrebende Regionen
Der globale Markt für Siliziumkarbid (SiC) Leistungselektronik verzeichnet robustes Wachstum, mit erheblichen regionalen Variationen, die durch Industriepolitik, Endverbrauchernachfrage und Investitionen in Lieferketten bedingt sind. Im Jahr 2025 bleibt der asiatisch-pazifische Raum der dominierende Markt, unterstützt durch aggressive Zielvorgaben für die Annahme von Elektrofahrzeugen (EV), den Ausbau erneuerbarer Energien und die starke staatliche Unterstützung für die Halbleiterfertigung. China führt sowohl beim Verbrauch als auch bei der Produktion von SiC-Geräten und tätigt umfangreiche Investitionen durch inländische Akteure und internationale Kooperationen. Die Initiative „Made in China 2025“ der chinesischen Regierung priorisiert weiterhin Halbleiter mit breitem Bandabstand, einschließlich SiC, und fördert die schnelle Entwicklung des Ökosystems und die vertikale Integration unter führenden Unternehmen wie STMicroelectronics und Infineon Technologies durch lokale Partnerschaften.
Japan und Südkorea spielen ebenfalls eine entscheidende Rolle und nutzen ihre etablierten Automobil- und Industrieelektroniksektoren. Japanische Unternehmen wie ROHM Semiconductor und Mitsubishi Electric erweitern ihre SiC-Geräteportfolios und zielen sowohl auf inländische als auch auf Exportmärkte ab. Südkoreas Fokus liegt auf der Integration von SiC in nächste Generation von Elektrofahrzeugen und Energiespeichersystemen, unterstützt von Konglomeraten wie Samsung SDI.
In Nordamerika ist die Vereinigte Staaten ein wichtiger Innovator und Anbieter, mit einem starken Fokus auf F&E und heimische Fertigung. Das CHIPS-Gesetz und verwandte Anreize der US-Regierung katalysieren Investitionen in die SiC-Waferproduktion und -Gerätefertigung. Unternehmen wie Wolfspeed und onsemi erweitern ihre Kapazitäten, um der steigenden Nachfrage aus den Sektoren Automobil, Industrie und erneuerbare Energien gerecht zu werden. Die USA profitieren außerdem von einem starken Ökosystem aus Start-ups und Forschungseinrichtungen, das die Kommerzialisierung von Technologien weiter beschleunigt.
Europa entwickelt sich zu einem strategischen Markt, angetrieben durch strenge Emissionsvorschriften und ehrgeizige Elektrifizierungsziele. Der „Green Deal“ der Europäischen Union und die IPCEI-Initiative (Wichtige Projekte von gemeinsamem europäischem Interesse) lenken Mittel in die Forschung und Herstellung von SiC. Deutschland, Frankreich und Italien stehen an der Spitze, wobei Unternehmen wie Infineon Technologies und STMicroelectronics in neue Fertigungsstätten und die Lokalisierung von Lieferketten investieren.
- Hauptmärkte (2025): China, Vereinigte Staaten, Deutschland, Japan
- Aufstrebende Regionen: Indien (getrieben durch EV-Politik), Südostasien (Ausbau der Fertigung), Osteuropa (Automobil-Lieferkette)
Insgesamt spiegeln die regionalen Dynamiken im Jahr 2025 eine Mischung aus politisch bedingtem Wachstum, Lokalisierung von Lieferketten und Endmarktnachfrage wider, wobei der asiatisch-pazifische Raum und Nordamerika führen, während Europa und ausgewählte aufstrebende Regionen schnell im Bereich der SiC-Leistungselektronik aufholen.
Herausforderungen, Risiken und Marktbarrieren
Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) wird zunehmend für ihre überlegene Effizienz, hohe Temperaturbeständigkeit und Kompaktheit im Vergleich zu herkömmlichen auf Silizium basierenden Geräten anerkannt. Der Markt sieht sich jedoch mehreren signifikanten Herausforderungen, Risiken und Barrieren gegenüber, die sein Wachstum im Jahr 2025 beeinflussen könnten.
- Hohe Produktionskosten: Die Herstellung von SiC-Wafern und -Geräten ist nach wie vor erheblich teurer als die von konventionellem Silizium. Der Kostenaufschlag resultiert aus komplexen Kristallwachstumsprozessen, niedrigeren Erträgen und der Notwendigkeit spezieller Fertigungsgeräte. Laut Yole Group wird erwartet, dass die Preise für SiC-Wafer 2025 weiterhin 5- bis 10-mal höher als die von Silizium bleiben, was eine Barriere für eine breitangelegte Akzeptanz darstellt, insbesondere in kostenempfindlichen Anwendungen.
- Lieferkettenbeschränkungen: Die SiC-Lieferkette entwickelt sich noch, wobei es nur eine begrenzte Anzahl von qualifizierten Lieferanten für hochwertige Substrate und epitaxiale Wafer gibt. Diese Konzentration erhöht das Risiko von Lieferengpässen und Preisvolatilität. Wolfspeed und onsemi gehören zu den wenigen großen Akteuren mit signifikanten Kapazitäten, aber das rapide Wachstum der Nachfrage im Automobil- und Industriesektor könnte das Angebot übertreffen und zu Engpässen führen.
- Technische und Zuverlässigkeitsprobleme: SiC-Geräte, obwohl robust, haben unter bestimmten Betriebsbedingungen, wie hoher Spannung und Temperaturzyklen, Zuverlässigkeitsbedenken. Langfristige Felddaten sind im Vergleich zu ausgereiften Siliziumtechnologien weiterhin begrenzt. Diese Unsicherheit kann die Qualifikationszyklen verlangsamen, insbesondere in den Sektoren Automobil und Luftfahrt, wo Sicherheit und Langlebigkeit von größter Bedeutung sind (Infineon Technologies).
- Design- und Integrationskomplexität: Die Einführung von SiC erfordert erhebliche Änderungen im Systemdesign, einschließlich neuer Verpackungen, Gate-Treiber und thermischen Managementlösungen. Das Fehlen standardisierter Entwurfswerkzeuge und Referenzplattformen erhöht die Entwicklungszeit und -kosten für OEMs und Systemintegratoren (STMicroelectronics).
- Marktbildung und Ökosystementwicklung: Viele Endverbraucher sind mit den einzigartigen Eigenschaften von SiC nicht vertraut, was zu einer zögerlichen Akzeptanz führt. Das Ökosystem unterstützender Komponenten, wie passive Geräte und Testgeräte, entwickelt sich noch, was die Kommerzialisierung verzögern kann (Internationale Energieagentur).
Die Bewältigung dieser Herausforderungen ist entscheidend für die breitere Marktdurchdringung von SiC-Leistungselektronik und die Realisierung ihres vollen Potenzials im Jahr 2025 und darüber hinaus.
Chancen und strategische Empfehlungen
Die Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) steht im Jahr 2025 vor einem signifikanten Wachstum, angetrieben durch die steigende Nachfrage in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energien und industriellen Anwendungen. Die einzigartigen Materialeigenschaften von SiC – wie höhere Durchbruchspannung, überlegene Wärmeleitfähigkeit und schnellere Schaltgeschwindigkeiten – ermöglichen effizientere, kompaktere und zuverlässigere Leistungsgeräte im Vergleich zu traditionellen, auf Silizium basierenden Lösungen. Mit dem Reifen des Marktes ergeben sich mehrere wichtige Chancen und strategische Empfehlungen für Akteure, die von diesem dynamischen Sektor profitieren möchten.
- Erweiterung der EV- und Ladeinfrastruktur: Der globale Übergang zur Elektrifizierung im Verkehr ist der Hauptwachstumsmotor. SiC-MOSFETs und Dioden werden zunehmend in EV-Wechselrichtern, Onboard-Ladegeräten und Schnellladestationen eingesetzt, um höhere Effizienz und reduzierte Systemgewichte zu bieten. Unternehmen sollten Partnerschaften mit führenden Automobilherstellern und Anbietern von Ladeinfrastrukturen priorisieren, um Designgewinne und langfristige Lieferverträge zu sichern. Laut Yole Group wird der Automobilsektor bis 2025 über 60 % der Nachfrage nach SiC-Geräten ausmachen.
- Erneuerbare Energien und Modernisierung des Stromnetzes: Die Fähigkeit von SiC, hohe Spannungen und Temperaturen zu handhaben, macht es ideal für Solarwechselrichter, Windturbinen und Energiespeichersysteme. Strategische Investitionen in F&E für Hochleistungs-SiC-Module können Herstellern helfen, dem wachsenden Bedarf an effizienter Einspeisung von erneuerbaren Energien gerecht zu werden. MarketsandMarkets prognostiziert einen robusten zweistelligen CAGR bei der SiC-Akzeptanz für Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien bis 2025.
- Vertikale Integration und Versorgungssicherheit: Die SiC-Wertschöpfungskette steht vor Herausforderungen in Bezug auf die Verfügbarkeit von Substraten und die Qualität von Wafern. Führende Akteure wie Wolfspeed und onsemi investieren in vertikale Integration, um Rohstoffe zu sichern und Erträge zu verbessern. Neue Marktteilnehmer sollten strategische Allianzen oder Übernahmen in Betracht ziehen, um den Zugang zu hochwertigen SiC-Substraten und Epitaxie zu gewährleisten.
- Geografische Expansion und Lokalisierung: Mit dem asiatisch-pazifischen Raum, insbesondere China, als wichtigem SiC-Markt sollten Unternehmen die Fertigung und F&E lokalisieren, um regionalen Anforderungen und Vorschriften gerecht zu werden. Die Zusammenarbeit mit lokalen Regierungen und Industrieverbänden kann den Markteintritt und die Technologiedurchdringung erleichtern.
- Anwendung Diversifizierung: Über Automobile und Energie hinaus finden SiC-Geräte auch in industriellen Motorantrieben, der Luft- und Raumfahrt und in Rechenzentren Anwendung. Gezielte Produktentwicklung und -vermarktung können neue Einnahmequellen in diesen Segmenten erschließen.
Zusammenfassend bietet der SiC-Leistungselektronikmarkt 2025 robuste Wachstumschancen, aber der Erfolg hängt von strategischen Investitionen in Technologie, Resilienz der Lieferkette und gezielten Partnerschaften in den wachstumsstarken Sektoren ab.
Zukünftige Ausblicke: Innovationen und Marktentwicklung
Für 2025 wird der Markt für Siliziumkarbid (SiC) Leistungselektronik eine signifikante Transformation erwarten, die von raschen technologischen Innovationen und einer Erweiterung der Endanwendungen vorangetrieben wird. SiC-Geräte, einschließlich MOSFETs und Schottky-Dioden, werden zunehmend den Vorzug vor traditionellen auf Silizium basierenden Komponenten gegeben, aufgrund ihrer überlegenen Effizienz, höheren Spannungsfestigkeit und der Fähigkeit, bei erhöhten Temperaturen zu arbeiten. Diese Vorteile katalysieren die Akzeptanz in Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen, industriellen Motorantrieben und Schnellladeinfrastrukturen.
Eine der bemerkenswertesten Innovationen, die 2025 erwartet wird, ist die Kommerzialisierung von next-generation SiC-Wafern, insbesondere 8-Zoll (200 mm) Substraten. Führende Hersteller wie Wolfspeed und STMicroelectronics investieren erheblich in den Ausbau der Produktionskapazitäten für diese größeren Wafer, die versprechen, die Kosten pro Gerät zu senken und die Geräteleistung zu verbessern. Diese Veränderung wird voraussichtlich die Kostenparität von SiC-Geräten mit ihren Silizium-Gegenstücken beschleunigen und den Zugang zum Markt weiter verbreitern.
- Automobilsektor: Der EV-Markt bleibt der Hauptwachstumsmotor für SiC-Leistungselektronik. Automobilhersteller integrieren zunehmend SiC-basierte Wechselrichter und Onboard-Ladegeräte, um die Reichweite der Fahrzeuge zu verlängern und die Ladezeiten zu reduzieren. Laut Yole Group wird erwartet, dass die Akzeptanz von SiC-Geräten in EVs bis 2025 sich verdoppeln wird, wobei große OEMs wie Tesla und Toyota die Vorreiter sind.
- Erneuerbare Energien: Die Effizienzvorteile von SiC werden auch in Solarwechselrichtern und Windkraftkonvertern genutzt, wo höhere Schaltfrequenzen und reduzierte Verluste zu niedrigeren Systemkosten und besseren Energieerträgen führen. Infineon Technologies und onsemi entwickeln aktiv SiC-Lösungen, die auf diese Anwendungen zugeschnitten sind.
- Manufacturing und Lieferkette: Der Markt zeigt zunehmende vertikale Integration, wobei Unternehmen in das Wachstum von SiC-Kristallen und die Waferproduktion investieren, um die Versorgung zu sichern und die Qualität zu kontrollieren. Dieser Trend wird voraussichtlich die Lieferengpasse mildern, die zuvor das Marktwachstum eingeschränkt haben.
Bis 2025 wird der SiC-Leistungselektronikmarkt voraussichtlich über 4 Milliarden Dollar Jahresumsatz überschreiten, laut MarketsandMarkets. Fortlaufende F&E in der Gerätearchitektur, Verpackung und Systemintegration werden weiterhin neue Leistungsbenchmarks freisetzen, wodurch SiC als grundlegende Technologie im globalen Übergang zur Elektrifizierung und Energieeffizienz positioniert wird.
Quellen & Referenzen
- Wolfspeed
- STMicroelectronics
- Infineon Technologies
- Wolfspeed
- ROHM Semiconductor
- MarketsandMarkets
- ZF Friedrichshafen AG
- BYD
- Sanan IC
- TankeBlue
- Mitsubishi Electric
- Internationale Energieagentur
- Toyota
